Прорыв: Разработана крошечная флэшка на 128 ГБ

Техника Интеграция ИТ Революция Электроника
мобильная версия
, Текст: Сергей Попсулин
Совместное предприятие Intel и Micron выпустило первый в индустрии кристалл NAND-памяти, вмещающий 16 ГБ данных. С его помощью можно производить крошечные микросхемы флэш-памяти емкостью 128 ГБ.

Совместное предприятие Intel и Micron Technology - IM Flash Technologies (IMFT) - объявило о создании первого в индустрии кристалла NAND-памяти емкостью 16 ГБ. Новый кристалл, производимый на основе 20-нм технологической нормы, предлагает вдвое более высокую плотность записи информации по сравнению с продуктами текущего поколения, сказано в официальном сообщении.

По словам представителей компании, путем объединения 8 кристаллов можно создать чип емкостью 128 ГБ. При этом микросхема будет размером с ноготь.

Для того чтобы совершить очередной шаг на пути развития индустрии флэш-памяти инженерам пришлось разработать новую технологию масштабирования ячеек - с использованием инновационной планарной структуры. Кроме того, высокая плотность ячеек предъявляет повышенные требования к токам утечки. Снизить их удалось за счет использования транзисторов с диэлектриками с высокой диэлектрической проницаемостью и металлическими затворами (технология Hi-K Metal Gate).

В результате были достигнуты надежность и быстродействие, присущие продуктам текущего поколения. Как отмечается, новый модуль удовлетворяет спецификации ONFI 3.0 и способен достигать скорости в 333 мегатрансфер в секунду (миллион операций ввода/вывода в секунду).

Ожидается, что новая разработка найдет применение в потребительских гаджетах (смартфонах и планшетах) и промышленных системах хранения данных. Приступить к поставкам тестовых образов 16-ГБ кристаллов NAND-памяти планируется в январе, а к серийному производству - до конца первой половины будущего года.

Объединение 8 кристаллов позволяет создать 16-ГБ микрочип размером с ноготь
Объединение 8 кристаллов позволяет создать 16-ГБ микрочип размером с ноготь

Причем IMFT сперва в полной мере планирует освоить производство 8-ГБ кристаллов, также выполняемых с применением 20-нм технологии. К серийному производству таких элементов компания приступила в декабре. В компании рассчитывают, что объемы производства, на которые они выйдут в текущем месяце, позволят достаточно быстро совершить переход к серийному выпуску 16-ГБ модулей.

Совместное предприятие IMFT было создано в январе 2006 г. и располагает двумя заводами - в США и Сингапуре. Компания является лидером на рынке флэш-памяти в аспекте используемых технологических норм.